HTS/HTS-W高溫源用于高蒸汽壓的材料蒸發,因此可以在高束流速度下實現材料非常均勻地化合沉積。典型應用是MBE中做P-型摻雜時升華P或者Si太陽能電池研究和SiGe的MBE系統中Ge升華,也可以用于CaF2,Ti,Ni,Cr,Au,Er,La等材料。
特點:
安裝法蘭:DN40CF/DN63CF/DN100CF
真空內長度:250~400 mm
加熱燈絲類型:HTS:石墨燈絲
HTS-W:兩層W燈絲
燈絲屏蔽:HTS:完全由石墨部件屏蔽
HTS-W:鉭輻射罩屏蔽
熱偶:W5%Re/W26%Re( C型)
加熱溫度:最高2000℃
除氣溫度:最高2000℃
外部烘烤溫度:250℃
冷卻方式:集成水冷 / 獨立冷屏
坩堝容量:5/25/200 cc
坩堝材料:C/W/PBN/BeO
選配:擋板
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